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DMN32D2LV
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 4V
I D = 100mA
V GS = 2.5V
I D = 20mA
V GS = 1.8V
I D = 20mA
1.0
0.8
0.6
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C°)
Fig. 7 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
50
f = 1 MHz
40
30
20
10
C iss
C oss
C rss
0
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Capacitance
20
10000
1000
T A = 125°C
10000
1000
T A = 125°C
100
10
1
T A = 105°C
T A = 25°C
100
10
1
T A = 105°C
T A = 25°C
0.1
0
2 4 6 8 10 12
0.1
0
2 4 6 8 10 12
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.11 Gate-Source Leakage Current vs Voltage
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (-V)
Fig.12 Gate-Source Leakage Current vs Voltage
DMN32D2LV
Document number: DS31121 Rev. 7 - 2
4 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
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